-
सौर्य मोड्युल Bifacial M6 श्रृंखला
बहु-बसबार र आधा-कट सेल प्रविधिहरूसँग 166mm सिलिकन वेफरहरू एकीकृत गरेर उच्च-दक्षता मोड्युल श्रृंखला।नयाँ S3 आधा-सेल श्रृंखलाको अधिकतम मोड्युल दक्षता 20% छ, र अधिकतम पावर आउटपुट 445W हो।
बहु-बसबारले कोशिकाहरूको पावर उत्पादन कार्यसम्पादनमा सुधार गर्छ, र आधा-सेल प्रविधिले रिबन प्रतिरोधको कारणले हुने हानिलाई कम गर्छ, जसले गर्दा नयाँ श्रृंखला मोड्युलको समग्र दक्षतामा ५% भन्दा बढी सुधार हुन्छ।
थप रूपमा, कोशिकाहरूलाई आधामा काट्दा माइक्रो-क्र्याक्स र हट स्पट प्रभावहरूको प्रभावलाई पनि कम गर्छ, जसले दोहोरो प्रदर्शन र विश्वसनीयता सुधारहरूको लागि अनुमति दिन्छ। -
सौर्य मोड्युल Bifacial M10 श्रृंखला
बहु-बसबार र आधा-कट सेल प्रविधिहरूसँग 166mm सिलिकन वेफरहरू एकीकृत गरेर उच्च-दक्षता मोड्युल श्रृंखला।नयाँ S3 आधा-सेल श्रृंखलाको अधिकतम मोड्युल दक्षता 20% छ, र अधिकतम पावर आउटपुट 445W हो।
बहु-बसबारले कोशिकाहरूको पावर उत्पादन कार्यसम्पादनमा सुधार गर्छ, र आधा-सेल प्रविधिले रिबन प्रतिरोधको कारणले हुने हानिलाई कम गर्छ, जसले गर्दा नयाँ श्रृंखला मोड्युलको समग्र दक्षतामा ५% भन्दा बढी सुधार हुन्छ।
थप रूपमा, कोशिकाहरूलाई आधामा काट्दा माइक्रो-क्र्याक्स र हट स्पट प्रभावहरूको प्रभावलाई पनि कम गर्छ, जसले दोहोरो प्रदर्शन र विश्वसनीयता सुधारहरूको लागि अनुमति दिन्छ। -
सौर्य मोड्युल एकल अनुहार M10 श्रृंखला
हाम्रो सौर्य मोड्युल शृङ्खलाले मल्टि-बसबार र डुअल सानो सेल टेक्नोलोजीहरूसँग 166mm सिलिकन वेफर्सहरू एकीकृत गर्दछ।नयाँ पुस्ता श्रृंखला को अधिकतम मोड्युल दक्षता 20% छ, र अधिकतम पावर आउटपुट 445W छ।
बहु-बसबारको साथ, कोशिकाहरूको पावर उत्पादन कार्यसम्पादनमा सुधार भयो, र रिबन प्रतिरोधको कारणले हुने हानि कम गर्न हामीले आधा-सेल प्रविधि प्रयोग गर्छौं।यी सबै सुधारहरूले नयाँ श्रृंखला मोड्युलको समग्र दक्षता 5% भन्दा बढि बढाउँछ।
वैसे, कोशिकाहरूलाई आधा र आधामा काट्दा पनि माइक्रो क्र्याक र हट स्पट इफेक्टको प्रभावलाई कम गर्न सक्छ, र दोहोरो कार्यसम्पादन र विश्वसनीयता पनि सुधार गर्न सक्छ। -
सौर्य मोड्युल एकल अनुहार M6 श्रृंखला
बहु-बसबारले कोशिकाहरूको पावर उत्पादन कार्यसम्पादनमा सुधार गर्छ, र आधा-सेल प्रविधिले रिबन प्रतिरोधको कारणले हुने हानिलाई कम गर्छ, जसले गर्दा नयाँ श्रृंखला मोड्युलको समग्र दक्षतामा ५% भन्दा बढी सुधार हुन्छ।
थप रूपमा, कोशिकाहरूलाई आधामा काट्दा माइक्रो-क्र्याक्स र हट स्पट प्रभावहरूको प्रभावलाई पनि कम गर्छ, जसले दोहोरो प्रदर्शन र विश्वसनीयता सुधारहरूको लागि अनुमति दिन्छ।
